Если бы когда-нибудь пришлось издавать собрание сочинений, скажем, о 100 известнейших наших земляках, то один том непременно был бы посвящен этому уникальному человеку. В 2000 году Жорес Алферов, вице-президент Российской академии наук, стал лауреатом Нобелевской премии – престижнейшей в научном мире награды.

Окончив в Минске в 1947 г. среднюю школу с золотой медалью, Жорес поступил на первый курс энергетического факультета Белорусского политехнического института, где проучился всего один год. В связи с переводом отца на новую работу в Ленинград, в 1948 г. семья Алферовых переезжает в этот город, а Жорес поступает на второй курс факультета электронной техники Ленинградского электротехнического института. Через четыре года он с отличием окончил этот вуз, получив диплом инженера по специальности «электровакуумная техника».

По распределению в декабре 1952 г. Жорес Алферов попадает в лабораторию В. М. Тучкевича всемирно известного Ленинградского физико-технического института АН СССР.

В то время лаборатория выполняла правительственное задание по созданию полупроводниковых приборов, к которому подключили Алферова. Небольшой коллектив сотрудников разработал первый транзистор по своим параметрам на уровне лучших зарубежных образцов.В мае 1953 г. были изготовлены первые транзисторные радиоприемники, которые вскоре поступили в массовую продажу.

В 1961 г. Алферов защищает диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук, посвященную исследованиям и созданию мощных германиевых и кремниевых выпрямителей. В 1987-м его избирают директором физико-технического института им. А. Ф. Иоффе АН СССР, где он расширяет объемы научных исследований в области физики твердого тела, полупроводниковых гетероструктур, микроэлектроники и разработки уникальных электронных приборов. Предлагает приступить к новым направлениям по высокотемпературной сверхпроводимости и «инженерии волновых функций, способных научить создавать потенциальные ямы». Он считает, что развитие данных направлений позволит сделать новые открытия в квантовой электронике и технической физике.

За фундаментальные исследования полупроводниковых гетероструктур и создание новых устройств на их основе в 1972 году Ж. И. Алферов с коллегами был удостоен самой высокой награды СССР в области науки – Ленинской премии.

Открытие Жоресом Алферовым идеальных гетеропереходов и ряда новых физических явлений позволило не только улучшить параметры известных полупроводниковых приборов, но и создать принципиально новые, перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

Открытия и разработки Алферова широко применяются в энергетике, телекоммуникациях, цифровых средствах хранения и передачи информации, космической и вычислительной технике, сверхчастотных приемных устройствах.

В мае 2005 г. было оглашено решение международного комитета о присуждении крупнейшей российской научной премии «Глобальная энергия». Размер премии в 1 миллион долларов сопоставим с самой престижной в мире Нобелевской премией, схожи и процедуры выбора лауреатов.

На планете вряд ли найдется человек, который бы ежедневно не пользовался научными разработками Жореса Алферова. В различных гаджетах, в том числе в смартфонах, присутствуют те самые легендарные гетероструктурные полупроводники, созданные им. Без «лазера Алферова» не «состоялись бы как личности» проигрыватели компакт-дисков и дисководы компьютеров. Его разработки и практические идеи присутствуют в невообразимом количестве окружающих нас предметов: и в фарах автомобилей, и в светофорах, и в оборудовании супермаркетов – декодерах товарных ярлыков еt cetera.

P.S. В мире академик известен в первую очередь как российский ученый, тем не менее, он всегда помнит, что родом он – из Синеокого края. Жорес Иванович, несмотря на то, что стал человеком мира от науки, никогда не забывает о тех местах, где начался его жизненный путь, определивший выбор в пользу науки. К слову, одна из глав его книги «Наука и общество» так и называется – «Моя родная Беларусь».

Ольга Костюкевич, 7Дней